化學機械拋光技術(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是集成電路制造中獲得全局平坦化的一種手段 ,這種工藝就是為了能夠獲得既平坦、又無劃痕和雜質玷污的表面而專門設計的。
化學機械拋光設備主要用于單晶硅片制造和芯片制造前道工藝,依托CMP技術的化學-機械動態耦合作用原理,通過化學腐蝕與機械研磨的協同配合作用,實現晶圓表面多余材料的高效去除與全局超高平整度的納米級平坦化。
此工藝需要在有壓力的情況保持一定轉速運動,對電機的運動穩定性要求較高,否則在運動的情況下有外力介入,會影響晶圓研磨效果,導致廢片。
項目需求
化學機械拋光設備主要用于單晶硅片制造和芯片制造前道工藝,依托CMP技術的化學-機械動態耦合作用原理,通過化學腐蝕與機械研磨的協同配合作用,實現晶圓表面多余材料的高效去除與全局超高平整度的納米級平坦化。
此工藝需要在有壓力的情況保持一定轉速運動,對電機的運動穩定性要求較高,否則在運動的情況下有外力介入,會影響晶圓研磨效果,導致廢片。
解決方案
JARRETT提供各種類型的DD馬達,同時根據客戶具體應用工況進行定制化設計。我們在半導體行業擁有很高的行業認可度,JARRETT已在100mm、200mm和300mm晶圓的CMP設備上有非常成熟的應用和解決方案。
針對CMP設備的DD馬達,以高扭矩密度為設計理念,用更緊湊的結構實現更高的峰值扭矩和持續扭矩;同時也優化了鐵芯設計,使齒槽扭矩最小化,實現更小的速度波動。